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          电压击穿试验仪,电阻率测试仪,介电常数测试仪,漏电起痕试验仪,耐电弧试验仪、介电温谱测量系统、热刺激电流测量系统
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          半导体硅片电阻率测量仪

          半导体硅片电阻率测量仪

          • 产品型号:GEST-201
          • 更新时间:2021-05-14
          • 产品介绍:半导体硅片电阻率测量仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。
          • 在线留言 010-57223838

          产品介绍

          全自动晶圆成像电阻率测试仪

          产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

          产品型号:GEST-201

          一、产品概述

          本仪器主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

          仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

          本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试

          二、仪器构成:

          本仪器主要组成部分有:

          1、 高精度电阻率测试仪

          2、 三坐标测试移动平台

          3、 测试探头

          4、 上位机软件测量成像系统

          高精度电阻率测量仪:

          1、测量范围

          1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

          1.2电导率:0.00005~10000 s/cm;

          1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

          2、电压测量:

          2.1量程0.01mV-2000 mV

          2.2分辨力:10μV;

          2.3 精度:±0.1% ;

          2.4显示:触摸屏操作显示

          3、恒流源:

          3.1电流输出:10μA, 100μA, 1mA, 10mA, 100mA, 1A,

          3.2电流误差:±0.5%

          3.3各档连续可调

          三坐标测试移动品台:

          1、X轴Y轴移动行程:120MM

          2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

          3、R轴*小分度值:0.0125°C

          四探针测试电极:

          1、间距:1±0.01mm;
          2、针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 
          3、机械游移率:≤0.3%;
          4、探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;
          5、 探针压力:5~16 牛顿(总力);

          上位机软件测量成像系统

          1、 测量方式:弧度测量、角度测量

          2、 测量点数:可以设定

          3、 测试数据:实时同步显示

          4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

          5、 数据导出:可以保存测试数据生成电子版本

           

           

           

          仅当所有的绝缘子或试品通过了5.1.5,5.5.5.5.6中规定程序的各项设计试验时,该特定设计的复合绝缘子才认为合格。这些试验的汇总列于附录D。从生产线上装配三只绝缘子进行试验,绝缘长度(金属附件到金属附件间的距离)应不小于800mm。两端金属附件应与生产的标准绝缘子一样。附件的装配,应使附件到近的一个伞裙之间的绝缘部分与正常生产线上绝缘子的该部分相同。应对这些绝缘子进行外观检查且按照图样核对尺寸是否符合,然后按8.3进行逐个机械试验。注:如果生产厂仅生产短于800mm的绝缘子,设计试验可以在现有的这样长度的绝缘子上进行,但其结果仅对被试长度的绝缘子有效。本试验作为5.1.4.3试验结果评定的依据。

          对3只试品的每一只测定5次闪络电压,取其平均值为其干工频闪络电压测定值。此平均闪络电压应校正到按GB/T16927.1所提到的正常标准大气条件.该闪络电压应在1min内,从零直线上升到闪络值。试验应对三只试品按下面的次序进行。在一20°C?一25°C下,对每一只试品进行5次从等于30%额定机械负荷的拉伸负荷突然卸载的试验。注在附录B中叙述了两种可行的突然卸载装置的例子。注在特定条件下,可协议选定更低的温度。按图1所示,在一连续的机械负荷下对试品施加热的变化,24h为一个热循环,此24h热循环应重复4次。每24h循环内的两个温度水平(一个是+5O°C±5K,另一个是一35笆士5K)各应至少持续8h。

           

           

           

           

           

          半导体硅片电阻率测量仪

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