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          电压击穿试验仪,电阻率测试仪,介电常数测试仪,漏电起痕试验仪,耐电弧试验仪、介电温谱测量系统、热刺激电流测量系统
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          半导体硅片电阻率测定仪

          半导体硅片电阻率测定仪

          • 产品型号:GEST-201
          • 更新时间:2021-05-14
          • 产品介绍:半导体硅片电阻率测定仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。
          • 在线留言 010-57223838

          产品介绍

          全自动晶圆成像电阻率测试仪

          产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

          产品型号:GEST-201

          一、产品概述

          本仪器主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

          仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

          本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试

          二、仪器构成:

          本仪器主要组成部分有:

          1、 高精度电阻率测试仪

          2、 三坐标测试移动平台

          3、 测试探头

          4、 上位机软件测量成像系统

          高精度电阻率测量仪:

          1、测量范围

          1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

          1.2电导率:0.00005~10000 s/cm;

          1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

          2、电压测量:

          2.1量程0.01mV-2000 mV

          2.2分辨力:10μV;

          2.3 精度:±0.1% ;

          2.4显示:触摸屏操作显示

          3、恒流源:

          3.1电流输出:10μA, 100μA, 1mA, 10mA, 100mA, 1A,

          3.2电流误差:±0.5%

          3.3各档连续可调

          三坐标测试移动品台:

          1、X轴Y轴移动行程:120MM

          2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

          3、R轴*小分度值:0.0125°C

          四探针测试电极:

          1、间距:1±0.01mm;
          2、针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 
          3、机械游移率:≤0.3%;
          4、探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;
          5、 探针压力:5~16 牛顿(总力);

          上位机软件测量成像系统

          1、 测量方式:弧度测量、角度测量

          2、 测量点数:可以设定

          3、 测试数据:实时同步显示

          4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

          5、 数据导出:可以保存测试数据生成电子版本

           

           

           

           

          试验可以在空气中或在其他任何合适的介质中进行。施加的机械负荷应等于试品的逐个试验负荷(至少为50%额定机械负荷)。此负荷应在环境温度下于*次热循环开始前施加到试品上。为了便于维修,试验可以中断,但中断的总时间应在4h内,并在中断后重新开始,该循环仍然有效。在试验开始前,在环境温度下对试品施加至少5%的额定机械负荷,持续1min。在此期间测量试品的长度,精确到0.5mm0此长度做为参照长度。在试验后,在相同的负荷和起始试品温度下,用类似的方法再次测量此长度(为了提供有关金属附件的相应位移的某些补充情况)。将试品放入容器内,在沸腾结束后,试品仍保留在容器中,直到水冷却到大约5O°C,并在这个容器中维持此温度。

          直到按下面的次序开始验证试验。下面的各个试验(5.1..1.4.2和5.1.4.3)的间隔时间应使得此验证试验在48h内完成。对每只试品的伞套进行外观检査,不允许有开裂。在试品上布置电极(该电极由夹片构成,例如可由大约20mm宽,厚度不超过1mm的窄铜条作成)。此电极应牢固地紧绕在伞裙间的伞套上,形成约等于或小于500mm的区段。若绝缘子的绝缘长度小于或等于500mm,就将电压直接加到原有的金属附件上。将陡度不小于1000kv/jxs,且不大于1500kV/咨的冲击电压施加到两个相邻的电极间或将电压施加到金属附件与相邻的电极上,每个区段应分别承受25次正极性冲击和25次负极性冲击。每次的冲击应引起电极间的外部闪络。

           

           

           

           

           

          半导体硅片电阻率测定仪

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